制造商型号: | DMN62D1LFDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 T&R 1 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN62D1LFDQ-13
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DMN62D1LFDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 550 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.9 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 5 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 10000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1.02518 总价:¥10251.80 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10000 | 1.02518 | 10251.80 |
品牌其他型号
DMN62D1LFDQ-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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