制造商型号: | IPB16CN10N G |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPB16CN10N G
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IPB16CN10N G 中文资料
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IPB16CN10N G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB16CN10N G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
16.5mOhm @ 53A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 61µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3220pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.616983 | 4.62 |
10 | 3.366898 | 33.67 |
30 | 3.133548 | 94.01 |
100 | 2.908533 | 290.85 |
500 | 2.800192 | 1400.10 |
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IPB16CN10N G品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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