制造商型号： | IXTY3N60P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY3N60P
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IXTY3N60P 中文资料
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IXTY3N60P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTY3N60P
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
包装
Tube
系列
PolarHV™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.9Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
411pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
70W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
品牌其他型号
IXTY3N60P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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