制造商型号: | GP1M016A060H |
制造商: | SEMIQ |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 16A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SEMIQ GP1M016A060H
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GP1M016A060H 中文资料
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GP1M016A060H 规格参数
属性
参数值
制造商型号
GP1M016A060H
制造商
SEMIQ
商品描述
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
470mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
53nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3039pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
290W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
品牌其他型号
GP1M016A060H品牌厂家:SEMIQ
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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