制造商型号: | ZXMN6A25G |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN6A25G
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ZXMN6A25G 中文资料
数据手册PDF
ZXMN6A25G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXMN6A25G
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
50mOhm @ 3.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1063pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
品牌其他型号
ZXMN6A25G品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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