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ZXMN6A25G
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
ZXMN6A25G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 6.70 A

极性 N-CH

耗散功率 2W Ta

输入电容 1.06 nF

栅电荷 20.4 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 6.70 A

输入电容Ciss 1063pF @30VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXMN6A25G引脚图与封装图
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ZXMN6A25G Vishay Semiconductor 威世 MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 搜索库存