制造商型号： | IXFN200N10P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多IXFN200N10P价格库存等采购信息！ |
IXYS(艾赛斯.力特) IXFN200N10P
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
IXFN200N10P 中文资料
数据手册PDF
IXFN200N10P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 90 ns
漏极电流 200 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 680 W
漏源电阻 7.5 mOhms
上升时间 35 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
漏源击穿电压 100 V
外形参数
高度 9.6 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 180.661393 | 180.66 |
| 10 | 166.649982 | 1666.50 |
| 100 | 142.307856 | 14230.79 |
品牌其他型号
IXFN200N10P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IXFN200N10P、查询IXFN200N10P代理商； IXFN200N10P价格批发咨询客服；这里拥有
IXFN200N10P中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
IXFN200N10P替代型号
、
IXFN200N10P数据手册PDF。