制造商型号： | NTBG020N090SC1 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | SIC MOS D2PAK 7L 20MOHM |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NTBG020N090SC1
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NTBG020N090SC1 中文资料
数据手册PDF
NTBG020N090SC1 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 112 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 19 V
栅源极阈值电压 4.3 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 477 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 49 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 39 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.675 g
库存： 1060
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 485.738501 | 485.74 |
| 10 | 447.990918 | 4479.91 |
| 100 | 382.555759 | 38255.58 |
品牌其他型号
NTBG020N090SC1品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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