制造商型号： | RW1E025RPT2CR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RW1E025RPT2CR
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RW1E025RPT2CR 中文资料
数据手册PDF
RW1E025RPT2CR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.2 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1E025RP
单位重量 6 mg
库存： 8274
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
RW1E025RPT2CR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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