制造商型号: | E3M0065090D |
制造商: | CREE (科锐) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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CREE(科锐) E3M0065090D
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E3M0065090D 中文资料
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E3M0065090D 规格参数
属性
参数值
制造商型号
E3M0065090D
制造商
CREE(科锐)
商品描述
E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, E
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
84.5mOhm @ 20A, 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.4nC @ 15V
Vgs(最大值)
+18V, -8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
660pF @ 600V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
库存: 426
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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E3M0065090D品牌厂家:CREE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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