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SILICONIX(威世) SQM90142E_GE3

SILICONIX(威世) SQM90142E_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQM90142E_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SQM90142E_GE3 中文资料

SQM90142E_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 95 A

漏源电阻 15.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 55 nC

耗散功率 375 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 16 ns

上升时间 8 ns

典型关闭延迟时间 39 ns

典型接通延迟时间 17 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 4 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥27.995466 总价:¥28.00

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 27.995466 28.00
10 21.198214 211.98
30 19.94533 598.36
100 18.706847 1870.68
500 18.14521 9072.60
品牌其他型号
SQM90142E_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQM90142E_GE3、查询SQM90142E_GE3代理商; SQM90142E_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQM90142E_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQM90142E_GE3替代型号SQM90142E_GE3数据手册PDF