制造商型号： | IXTA6N100D2HV |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2 TO- |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA6N100D2HV
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IXTA6N100D2HV 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导（Min） 2.6 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 300 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥137.692708 总价：￥41307.81 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 300 | 137.692708 | 41307.81 |
品牌其他型号
IXTA6N100D2HV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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