制造商型号: | IRFBE20PBF |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) IRFBE20PBF
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IRFBE20PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFBE20PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 8,2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBE20PBF-BE3
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.307288 | 11.31 |
10 | 10.154953 | 101.55 |
100 | 8.165014 | 816.50 |
500 | 6.708175 | 3354.09 |
1000 | 5.558289 | 5558.29 |
品牌其他型号
IRFBE20PBF品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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