制造商型号： | FCHD040N65S3-F155 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | FET 650V 65A TO247AD |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FCHD040N65S3-F155
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FCHD040N65S3-F155 中文资料
数据手册PDF
FCHD040N65S3-F155 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 136 nC
耗散功率 417 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 46 S
上升时间 51 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
FCHD040N65S3-F155 同类别型号
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 60 | 93.088181 | 5585.29 |
品牌其他型号
FCHD040N65S3-F155品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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