制造商型号: | FCH041N65F-F155 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 76A TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FCH041N65F-F155

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FCH041N65F-F155 中文资料
数据手册PDF
FCH041N65F-F155 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 226 nC
耗散功率 595 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 190 ns
典型接通延迟时间 60 ns
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCH041N65F_F155
单位重量 6 g
FCH041N65F-F155 同类别型号
品牌其他型号
FCH041N65F-F155品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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