制造商型号: | FQD6N60CTM |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FQD6N60CTM
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FQD6N60CTM 中文资料
数据手册PDF
FQD6N60CTM 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQD6N60CTM
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
810pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
80W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
品牌其他型号
FQD6N60CTM品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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