制造商型号： | EPC2049ENGRT |
制造商： | EPS |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GANFET TRANS 40V BUMPED DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2049ENGRT
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EPC2049ENGRT 中文资料
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EPC2049ENGRT 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2049ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS 40V BUMPED DIE
包装
Cut Tape (CT)
系列
eGaN®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5mOhm @ 15A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.6nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
805pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
品牌其他型号
EPC2049ENGRT品牌厂家：EPS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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