制造商型号： | SPD18P06PGBTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) SPD18P06PGBTMA1
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SPD18P06PGBTMA1 中文资料
数据手册PDF
SPD18P06PGBTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24.5 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD18P06P G SP000443926
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 4.323946 | 10809.87 |
| 5000 | 4.10771 | 20538.55 |
| 12500 | 3.953286 | 49416.07 |
品牌其他型号
SPD18P06PGBTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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