制造商型号: | IXTQ3N150M |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ3N150M
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IXTQ3N150M 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 1.5 kV
漏极电流 1.83 A
漏源电阻 7.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
耗散功率 73 W
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 30 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥85.02392 总价:¥2550.72 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
30 | 85.02392 | 2550.72 |
品牌其他型号
IXTQ3N150M品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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