制造商型号： | DMN10H220LE-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN10H220LE-13
图像仅供参考
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DMN10H220LE-13 中文资料
数据手册PDF
DMN10H220LE-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.9 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.357451 总价：￥7.36 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.357451 | 7.36 |
| 10 | 6.474557 | 64.75 |
| 100 | 4.961185 | 496.12 |
| 500 | 3.922087 | 1961.04 |
| 1000 | 3.13767 | 3137.67 |
品牌其他型号
DMN10H220LE-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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