制造商型号: | IXFP18N60X |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 18A TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFP18N60X
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IXFP18N60X 中文资料
数据手册PDF
IXFP18N60X 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 230 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 1800
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 63.324622 | 3166.23 |
品牌其他型号
IXFP18N60X品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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