制造商型号: | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ180P03NS3EGATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ180P03NS3EGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39.6 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ180P03NS3E G SP000709740
单位重量 38.760 mg
BSZ180P03NS3EGATMA1 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥8.031415 总价:¥8.03 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.031415 | 8.03 |
10 | 7.030578 | 70.31 |
25 | 6.608002 | 165.20 |
100 | 4.795373 | 479.54 |
250 | 4.625107 | 1156.28 |
500 | 4.007058 | 2003.53 |
1000 | 3.410262 | 3410.26 |
2500 | 3.197122 | 7992.80 |
品牌其他型号
BSZ180P03NS3EGATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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