制造商型号： | SI8461DB-T2-E1 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) SI8461DB-T2-E1
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SI8461DB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8461DB-T2-E1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI8461DB-T2-E1
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
610pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-XFBGA, CSPBGA
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥13.335289 总价：￥13.34 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.335289 | 13.34 |
| 10 | 9.90786 | 99.08 |
| 30 | 9.274218 | 278.23 |
| 100 | 8.654977 | 865.50 |
| 500 | 8.366958 | 4183.48 |
品牌其他型号
SI8461DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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