制造商型号: | RQ1C065UNTR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) RQ1C065UNTR
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RQ1C065UNTR 中文资料
数据手册PDF
RQ1C065UNTR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 11 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RQ1C065UN
单位重量 10 mg
库存: 2955
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.123554 | 8.12 |
10 | 6.961261 | 69.61 |
100 | 5.195327 | 519.53 |
500 | 4.082275 | 2041.14 |
1000 | 3.15444 | 3154.44 |
品牌其他型号
RQ1C065UNTR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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