RQ1C065UNTR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RQ1C065UNTR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 870pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSMT-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
高度 0.85 mm
封装 TSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RQ1C065UNTR引脚图与封装图 
RQ1C065UNTR引脚图
RQ1C065UNTR封装图
RQ1C065UNTR封装焊盘图
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