制造商型号: | IPB60R299CPATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 11A TO-263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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INFINEON(英飞凌) IPB60R299CPATMA1
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IPB60R299CPATMA1 中文资料
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IPB60R299CPATMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB60R299CPATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
包装
Digi-Reel®
系列
CoolMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
299mOhm @ 6.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
29nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
96W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
品牌其他型号
IPB60R299CPATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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