制造商型号： | FCB260N65S3 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FCB260N65S3
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FCB260N65S3 中文资料
数据手册PDF
FCB260N65S3 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 90 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间 49 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.485 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.593217 | 22.59 |
| 10 | 20.26639 | 202.66 |
| 100 | 16.607139 | 1660.71 |
| 800 | 14.005403 | 11204.32 |
品牌其他型号
FCB260N65S3品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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