制造商型号： | NTGS5120PT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) NTGS5120PT1G
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NTGS5120PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTGS5120PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18.1 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.9 ns
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 8.7 ns
外形参数
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存： 28841
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.105752 | 6.11 |
| 10 | 5.233502 | 52.34 |
| 100 | 3.634793 | 363.48 |
| 500 | 2.838304 | 1419.15 |
| 1000 | 2.307103 | 2307.10 |
品牌其他型号
NTGS5120PT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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