制造商型号: | FQPF6N80T |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FQPF6N80T
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FQPF6N80T 中文资料
数据手册PDF
FQPF6N80T 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 1.95 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 51 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 4.3 S
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 30 ns
外形参数
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQPF6N80T_NL
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
451 | 7.716902 | 3480.32 |
品牌其他型号
FQPF6N80T品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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