制造商型号： | IPD036N04LGATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD036N04LGATMA1
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IPD036N04LGATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD036N04LGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 85 S
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 9.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD036N04L G SP001128832
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 4.189369 | 10473.42 |
| 5000 | 3.989882 | 19949.41 |
| 12500 | 3.805729 | 47571.61 |
品牌其他型号
IPD036N04LGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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