制造商型号: | IXFB62N80Q3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFB62N80Q3
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IXFB62N80Q3 中文资料
数据手册PDF
IXFB62N80Q3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 62 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 1.56 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
上升时间 300 ns
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 300.785049 | 300.79 |
25 | 252.069526 | 6301.74 |
100 | 235.264123 | 23526.41 |
品牌其他型号
IXFB62N80Q3品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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