制造商型号： | IMZA65R072M1HXKSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IMZA65R072M1HXKSA1
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IMZA65R072M1HXKSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 15.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMZA65R072M1H SP005398434
单位重量 6 g
品牌其他型号
IMZA65R072M1HXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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