制造商型号: | TSM180N03PQ33 RGG |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM180N03PQ33 RGG
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TSM180N03PQ33 RGG 中文资料
数据手册PDF
TSM180N03PQ33 RGG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 21 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.8 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM180N03PQ33
单位重量 304.151 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5000 | 1.227025 | 6135.13 |
10000 | 1.139359 | 11393.59 |
25000 | 1.113045 | 27826.13 |
50000 | 1.078008 | 53900.40 |
125000 | 1.051694 | 131461.75 |
品牌其他型号
TSM180N03PQ33 RGG品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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