制造商型号: | FCH190N65F-F085 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FCH190N65F-F085
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FCH190N65F-F085 中文资料
数据手册PDF
FCH190N65F-F085 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.6 A
漏源电阻 401 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 14.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCH190N65F_F085
单位重量 6 g
品牌其他型号
FCH190N65F-F085品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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