制造商型号: | DMN10H220LVT-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN10H220LVT-7
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DMN10H220LVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMN10H220LVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.24 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.9 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
品牌其他型号
DMN10H220LVT-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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