DMN10H220LVT-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6Pin TSOT-26 T/R

表面贴装型 N 通道 1.87A（Ta） 1.67W（Ta）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

贸泽:
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

安富利:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN10H220LVT-7中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 1.67 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 2.24A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 401pF @25VVds

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1670 mW

封装参数

引脚数 6

封装 TSOT-26-6

外形尺寸

封装 TSOT-26-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN10H220LVT-7引脚图与封装图

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