制造商型号: | IXFH22N65X2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFH22N65X2
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IXFH22N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXFH22N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 390 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 38 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 44.870578 | 44.87 |
10 | 40.52738 | 405.27 |
100 | 33.550177 | 3355.02 |
500 | 29.215199 | 14607.60 |
1000 | 25.445523 | 25445.52 |
品牌其他型号
IXFH22N65X2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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