制造商型号: | IPT020N10N3ATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPT020N10N3ATMA1
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IPT020N10N3ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPT020N10N3ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 300 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 156 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 125 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 84 ns
典型接通延迟时间 34 ns
外形参数
高度 2.4 mm
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT020N10N3 SP001100160
单位重量 771.020 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | 33.833781 | 67667.56 |
品牌其他型号
IPT020N10N3ATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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