制造商型号: | FQT7N10TF |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FQT7N10TF
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FQT7N10TF 中文资料
数据手册PDF
FQT7N10TF 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 1.85 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.8 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存: 957
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.390576 | 9.39 |
10 | 8.278535 | 82.79 |
100 | 6.344816 | 634.48 |
500 | 5.015309 | 2507.65 |
1000 | 4.012246 | 4012.25 |
2000 | 3.63613 | 7272.26 |
品牌其他型号
FQT7N10TF品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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