制造商型号: | NDD04N50Z-1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NDD04N50Z-1G
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NDD04N50Z-1G 中文资料
数据手册PDF
NDD04N50Z-1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDD04N50Z-1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.7Ohm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
12nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
308pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
61W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
品牌其他型号
NDD04N50Z-1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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