制造商型号： | IRFB4227PBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRFB4227PBF
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IRFB4227PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFB4227PBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导（Min） 49 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4227PBF SP001565892
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 25.346739 | 25.35 |
| 10 | 22.770962 | 227.71 |
| 100 | 18.655885 | 1865.59 |
| 500 | 15.881308 | 7940.65 |
| 1000 | 13.393902 | 13393.90 |
品牌其他型号
IRFB4227PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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