制造商型号： | FDMT80080DC |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FDMT80080DC
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FDMT80080DC 中文资料
数据手册PDF
FDMT80080DC 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 1.06 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 195 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 116 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 67 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 248.520 mg
库存： 9604
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 62.178986 | 62.18 |
| 10 | 52.173029 | 521.73 |
| 100 | 42.203208 | 4220.32 |
| 500 | 37.51424 | 18757.12 |
| 1000 | 32.121614 | 32121.61 |
品牌其他型号
FDMT80080DC品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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