制造商型号: | TK20J60W,S1VE |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) TK20J60W,S1VE
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TK20J60W,S1VE 中文资料
数据手册PDF
TK20J60W,S1VE 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 155 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
库存: 24
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 61.944289 | 61.94 |
10 | 55.599623 | 556.00 |
100 | 45.549854 | 4554.99 |
500 | 38.7762 | 19388.10 |
1000 | 32.702771 | 32702.77 |
2000 | 31.067604 | 62135.21 |
品牌其他型号
TK20J60W,S1VE品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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