制造商型号: | BSC012N06NSATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | TRENCH 40<-<100V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSC012N06NSATMA1
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BSC012N06NSATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC012N06NSATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS 5
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 143 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC012N06NS SP001645312
单位重量 20 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥46.458217 总价:¥46.46 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 46.458217 | 46.46 |
10 | 41.696827 | 416.97 |
100 | 34.161814 | 3416.18 |
500 | 29.080994 | 14540.50 |
1000 | 24.526241 | 24526.24 |
2000 | 23.299952 | 46599.90 |
品牌其他型号
BSC012N06NSATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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