制造商型号: | NVMFS5A160PLZWFT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | -60V7.7MOHMSINGLE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NVMFS5A160PLZWFT1G
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NVMFS5A160PLZWFT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFS5A160PLZWFT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 643 ns
上升时间 690 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 645 ns
典型接通延迟时间 50 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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品牌其他型号
NVMFS5A160PLZWFT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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