制造商型号: | SQP120N10-09_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQP120N10-09_GE3
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SQP120N10-09_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQP120N10-09_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 460
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 34.967548 | 34.97 |
10 | 31.433724 | 314.34 |
25 | 29.654456 | 741.36 |
100 | 23.130476 | 2313.05 |
250 | 22.537387 | 5634.35 |
500 | 19.571941 | 9785.97 |
1000 | 16.606496 | 16606.50 |
2500 | 16.36926 | 40923.15 |
5000 | 15.183082 | 75915.41 |
品牌其他型号
SQP120N10-09_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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