制造商型号： | FCP190N60E |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FCP190N60E
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FCP190N60E 中文资料
数据手册PDF
FCP190N60E 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.6 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 101 ns
典型接通延迟时间 23 ns
外形参数
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 600 V N-Channel MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.52437 | 24.52 |
| 10 | 22.016448 | 220.16 |
| 100 | 18.038174 | 1803.82 |
| 500 | 15.355363 | 7677.68 |
| 1000 | 12.950311 | 12950.31 |
品牌其他型号
FCP190N60E品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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