制造商型号: | IPD80R1K4P7ATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V 4A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD80R1K4P7ATMA1
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IPD80R1K4P7ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD80R1K4P7ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R1K4P7 SP001422564
单位重量 330 mg
库存: 17500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 5.357231 | 13393.08 |
5000 | 5.10213 | 25510.65 |
12500 | 4.866605 | 60832.56 |
25000 | 4.857259 | 121431.48 |
品牌其他型号
IPD80R1K4P7ATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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