制造商型号: | SIHF12N50C-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHF12N50C-E3
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SIHF12N50C-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHF12N50C-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 560 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 555 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 999
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 68.081674 | 68.08 |
10 | 61.137589 | 611.38 |
100 | 50.091306 | 5009.13 |
500 | 42.642358 | 21321.18 |
1000 | 38.53225 | 38532.25 |
品牌其他型号
SIHF12N50C-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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