制造商型号: | SIHP100N60E-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET E SERIES 600V TO-220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIHP100N60E-GE3
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SIHP100N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP100N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHP100N60E-GE3 同类别型号
库存: 899
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 64.498427 | 64.50 |
10 | 57.962092 | 579.62 |
100 | 47.494073 | 4749.41 |
500 | 40.431371 | 20215.69 |
1000 | 36.534281 | 36534.28 |
品牌其他型号
SIHP100N60E-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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